清華大學無錫應用技術研究院集成電路創新服務平臺
型號：Fei Helios Nanolab G3 UC
主要參數：離子束分辨小于3nm@30KV
電子束分辨率: workspace<1nm@15KV ,
樣品XY方向移動范圍不低于100mm，Z方向不低于50mm,可繞Z軸旋轉
任意角度傾斜角T范圍不小于-4到70度,換樣時間低于3.5分鐘。
用途及功能:
掃描電鏡主要用于觀察、分析、記錄樣品的微觀形貌，聚焦離子束用于樣品微
納米尺度下的切割、刻蝕，能譜儀主要用于樣品元素分析。
TEM透射樣品制備：對于表面薄膜、涂層、粉末大顆粒，原位TEM芯片加工，晶界界面以及相界面等精準定位與加工TEM制樣；
SEM/EDS剖面分析：可進行二次電子形貌分析且圖像分辨率高、背散射電子襯度分析、EDS能譜分析；
EBSD電子背散射衍射分析：可進行晶體取向成像、顯微織構、界面等分析，分析速度快，標定準確度高；
微納結構加工：在微納結構操作機械手、Omniprobe操作探針、離子束切割等的配合下，可以進行各種微納結構的搬運、各種顯微結構形狀或圖案的加工；
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