清華大學(xué)無(wú)錫應(yīng)用技術(shù)研究院集成電路創(chuàng)新服務(wù)平臺(tái)
TFS200-106 ALD原子層沉積
技術(shù)參數(shù)：
原子層淀積，功率4kW，載氣：N2；生長(zhǎng)精度：0.1nm，反應(yīng)溫度：25~500C，樣品尺寸：20-200mm，生長(zhǎng)方式：熱沉積/等離子體生長(zhǎng)；熱源2個(gè)，溫度25~300C；冷源3個(gè)
主要功能及應(yīng)用范圍：
制備氧化物，如氧化鉿、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭等，制備氮化物，如氮化鈦、氮化鉭等
微納電子學(xué)、納米材料及相關(guān)器件等領(lǐng)域，可作為集成電路中MIM電容器涂層，防反射包覆層，多層結(jié)構(gòu)光學(xué)電介質(zhì)，有機(jī)發(fā)光顯示器反濕涂層以及應(yīng)用在太陽(yáng)能電池和MEMS微機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域。
上一篇 無(wú)
PECVD 下一篇
X射線衍射分析儀
電感耦合等離子體質(zhì)譜儀
流變儀
