ELS-F125電子束曝光
世界上第一個125kv光刻系統具有大的場寫入均勻性和精細的圖案寫入能力,例如5nm或更小的線寬,這充分利用了我們多年來在開發光刻系統方面積累的豐富經驗。
發射器 氧化鋯/鎢熱場發射器
加速電壓 125kv、75kv、25kv
最小束斑尺寸 φ1.7nm(@125kv)
最小線寬 5nm或更小(@125kv)
射束電流 5 pA to 100 nA
寫場范圍 Max3000umX3000um, Min100umX100um
波束定位 Max1000000 x 1000000(20bit DAC)
波束定位分辨率 Min0.1nm
最大樣本大小 8" wafer or 8" square mask