清華大學(xué)無(wú)錫應(yīng)用技術(shù)研究院集成電路創(chuàng)新服務(wù)平臺(tái)
詳細(xì)內(nèi)容：
儀器功能：用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)
技術(shù)參數(shù)
測(cè)量范圍 電阻率：10-4～105 ΩNaN(可擴(kuò)展)
電導(dǎo)率：10-5～104 s/cm；
電阻：10-4～105 Ω；
可測(cè)晶片直徑 140mmX150mm;200mmX200mm;400mmX500mm;
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
四探針探頭基本指標(biāo) 間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)
整機(jī)測(cè)量最大相對(duì)誤差 (用硅標(biāo)樣片：0.01-180ΩNaN測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5%
相對(duì)濕度：≤65%；
無(wú)高頻干擾；無(wú)強(qiáng)光直射；
X射線衍射分析儀
電感耦合等離子體質(zhì)譜儀
流變儀
